俄罗斯宣布造出130nm光刻机，绕过ASML，这是另起炉灶走新路 - NBA下注观察

2026年9月，俄罗斯第一副总理曼图罗夫在微电子论坛上披露，俄罗斯与白俄罗斯共同开发的130纳米光刻机原型已制造完成，国产准分子激光器通过测试，整机验证将在今年秋季启动，年底前结束。

此前，俄方已推出350纳米光刻设备，仅数月后便拿出130纳米样机，成为该国半导体装备领域的重大进展，也让中方感到意外。

这台设备能做什么？

光刻机按分辨率分级：最高端为EUV（13.5纳米光源），用于7纳米以下先进逻辑芯片；中间为DUV（248纳米KrF或193纳米ArF光源），覆盖28纳米到90纳米；低端为i-line（365纳米汞灯）和深紫外宽幅曝光，用于成熟制程和功率器件。

俄罗斯这款130纳米设备采用248纳米KrF准分子激光器，生产的芯片线宽为130纳米，这在今天属于极为成熟的工艺——2002年英特尔奔腾4处理器即使用该制程。

然而，130纳米在当下仍有用途：汽车电子、工业控制、传感器、功率器件、军工芯片等领域对制程要求不高，但对可靠性和供货稳定性要求极高。

俄罗斯并非要制造手机芯片，而是生产导弹中的陀螺仪芯片、苏-57的航电芯片、S-400的控制芯片——这些部件用130纳米制程完全足够，且西方断供后俄方必须自主生产。

曼图罗夫在讲话中多次强调“准分子激光器”——这是光刻机的核心部件。光刻机可实现的线宽极限，一半取决于镜头组，一半取决于光源波长。

248纳米KrF准分子激光器，此前全球仅三家能稳定量产：美国Cymer（后被ASML收购）、日本Gigaphoton（小松系）以及德国Trumpf的特种版本。

俄罗斯科学院列别捷夫物理研究所自苏联时代便从事准分子激光研究，技术基础一直存在，但工程化和量产化是另一回事——实验室中点亮一束激光，与为光刻机安装可连续工作数万小时不出故障的光源之间，存在巨大差距。

这台设备的技术核心在于“俄罗斯将准分子激光器从实验室转移到了生产线”。这颗光源曾是受制最严重的环节——即便能买到DUV整机，光源损坏后仍需要美国或日本技术人员维修。

俄罗斯能造出光刻机并非偶然

苏联解体后的三十年，俄罗斯微电子工业持续下滑。工厂设备老化，工程师流失至以色列和德国，主力fab制程停留在65纳米，比美国落后约15年。

2014年克里米亚事件后的首轮制裁，俄罗斯尚能从荷兰购买二手DUV；2022年后的第二轮制裁，ASML连备件和维保都停止，台积电砍掉俄罗斯设计公司的代工订单，Synopsys和Cadence切断EDA软件授权，俄罗斯芯片设计企业连原理图都无法绘制。

外界最初认为俄罗斯微电子产业将崩溃。

但俄罗斯的应对是，逐一弥补断掉的每个环节。

其中有一个被忽视的关键角色——白俄罗斯。苏联时期，明斯克是光学工业重镇，明斯克光电子制造厂（Planar）曾生产大量光刻设备和掩膜版。

苏联解体后，白俄罗斯的相关产业随之衰落，但工程团队和技术档案得以保留。

俄罗斯提供材料和资金，白俄罗斯提供光学工程团队，双方合作相当于将苏联时期分散在两个加盟共和国的光刻机资源重新整合。

路线图中最关键的是2036年那一步

俄罗斯科学院公布的路线图显示：2026年推出65至40纳米机型，2032年完成28纳米，2036年实现10纳米以下的EUV。

前两档并不令人意外。28纳米可通过193纳米ArF浸没式DUV结合多重曝光实现，真正令人意外的是EUV阶段。

ASML的EUV采用13.5纳米光源，通过激光轰击锡液滴产生等离子体发光，整套系统称为LPP（激光产生等离子体）。这一路线ASML花费二十年、投入上百亿欧元，良率和寿命仍在优化中。

俄罗斯路线图提出：采用11.2纳米激光源，用氙气激光器替代锡液滴。

这是另一条技术路线。氙气准分子激光器作为EUV光源，在实验室中已通过验证，但从未实现工程化量产。

原因在于转换效率极低、灯泡寿命短、功率难以提升。俄罗斯选择此路线，并非因为它优于锡液滴，而是因为其在准分子激光方向拥有苏联时期的技术积累，而锡液滴LPP路线从一开始就被ASML和Cymer锁定了数千项专利。

走自己的路，尽管艰难，但专利属于自己。

真正的瓶颈不在光刻机

曼图罗夫提到2032年实现28纳米、2036年实现10纳米。熟悉半导体产业链的人知道，光刻机只是整条链条中最显眼的一环。

一台光刻机搬入工厂并投入运行，还需要光刻胶（日本JSR、东京应化垄断）、高纯石英玻璃、掩膜版、CMP抛光液、特种气体、EDA软件以及工艺工程师。

俄罗斯声称过去三年掌握了60种关键材料，2029年再增加60种，但最棘手的是EDA软件——Synopsys和Cadence垄断全球数字芯片设计工具，开源的KLayout和Magic在模拟和先进节点上无法胜任。

俄罗斯目前正自研EDA，2024年推出了原型，但距离可用仍有较大差距。

另一个短板是人才。苏联时期培养的光学和激光工程师，平均年龄已超过60岁。学习微电子的年轻人，毕业后的首选是前往莫斯科的Yandex或跳槽到欧洲，留在工厂的并不多。

光刻机并非造出来就结束，还需要迭代、维护和修理。人才一旦断层，机器便是一堆废铁。

这是另起炉灶走新路

130纳米设备，在当今全球半导体版图上技术并不先进。但它证明了一件事——一个被制裁到极限的国家，从零开始重建光刻产业链，技术上是可行的。

过去三十年，全球半导体产业先进制程只有ASML、台积电、三星、英特尔等少数企业能参与，其他国家难以涉足。

这一假设在EUV时代成立。但俄罗斯的130纳米设备提醒所有人：成熟制程与先进制程是两个世界。

130纳米不需要EUV，不需要193纳米浸没式，不需要最顶尖的镜头，它需要的是将分散在材料、光源、光学、精密机械中的数百个小环节，逐一从地上拾起并拼接起来。

中国已为此努力十年，如今俄罗斯也被迫从头开始。双方采用的方法不同，但遇到的挑战相似：光源、镜头、工件台、光刻胶、掩膜版、EDA。

俄罗斯在准分子激光方向上的积累，源自苏联时期留下的列别捷夫研究所和约飞研究所，确实有深厚基础。它选择的氙气11.2纳米EUV路线，如果2036年真能实现，那将是另一条不同的技术路径——ASML用二十年和上千亿美元搭建的道路，并非人类唯一的选择。

至于俄罗斯能否真正达到28纳米、10纳米，取决于未来十年它是否能同时补齐材料、人才和EDA这三块短板。

但今天，它已迈出最难的第一步：那颗过去只有美国和日本能制造的准分子激光灯，现在俄罗斯人自己能点亮了。

正如业内人士指出，俄罗斯的进步对中国具有参考价值。俄罗斯在准分子激光器、固体激光器、电子束光刻等细分方向上有一定积累，其与白俄罗斯的合作模式也值得借鉴。

某种程度上，俄罗斯的进步令人振奋，这证实了在没有西方技术的情况下，单个国家有可能制造出光刻机，这或许是集整个西方科技合力发展光刻机的ASML最担忧之处。